就在不久前,Intel宣布已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)MRAM(磁阻式隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存),這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù),寫(xiě)入速度則數(shù)千倍于閃存,可以兼做內(nèi)存和硬盤(pán),甚至統(tǒng)一兩者。
快科技 2019/03/07 09:23 28nm 28nm工藝 閃存
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