固態(tài)硬盤的壽命限制主要來(lái)自有限數(shù)量的寫入-擦除周期，閃存具體能夠擦寫多少次通常還取決于主控所采用的糾錯(cuò)引擎。

　　當(dāng)前我們使用的固態(tài)硬盤幾乎都采用了NAND閃存，它是由東芝在1987年發(fā)明。閃存依靠保存電荷來(lái)記錄數(shù)據(jù)，我們可以把對(duì)閃存的寫入想象為向電池中充電，而擦除過(guò)程就是將電池中的電量迅速放光。

　　閃存單元中的Floating Gate浮柵結(jié)構(gòu)充當(dāng)了“電池”的角色，它可以被“放電”或者“充電”。依據(jù)電壓的不同，閃存就可以表達(dá)出電腦二進(jìn)制0或1。

　　固態(tài)硬盤能夠在電腦關(guān)機(jī)后繼續(xù)保存記憶，關(guān)鍵在于位于Floating Gate浮柵下方的Tunnel Layer隧道層。它起到了防止浮柵中電子流失的作用。但長(zhǎng)期和反復(fù)的讀寫會(huì)在閃存隧道氧化物層上產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致缺陷的出現(xiàn)。

　　產(chǎn)生缺陷的隧道氧化物層阻擋電子流失的能力下降，在長(zhǎng)期不通電的情況下，閃存單元中的電流流失過(guò)多，就會(huì)改變其電壓狀態(tài)，進(jìn)而導(dǎo)致數(shù)據(jù)在讀取時(shí)出錯(cuò)。

　　從原理上說(shuō)，隧道氧化物層的“磨損”是不可逆的，所以固態(tài)硬盤終有一死。不過(guò)在閃存從平面轉(zhuǎn)向立體堆疊的過(guò)程中，閃存單元的結(jié)構(gòu)也進(jìn)行了升級(jí)。

　　最早在2007年由東芝提出的BiCS三維閃存結(jié)構(gòu)中使用Charge Trap電荷陷阱取代Floating Gate，前者為絕緣體，對(duì)電子的保持能力更強(qiáng)，同時(shí)允許使用更薄的隧道氧化物層，進(jìn)而能夠在寫入和擦除時(shí)使用相對(duì)較低的電壓，減少對(duì)氧化物層的“磨損”。

　　當(dāng)然，東芝BiCS閃存的優(yōu)勢(shì)還有很多：高密度高容量、更快的寫入速度、高可靠性、低功耗等等。

　　由東芝推動(dòng)的閃存技術(shù)創(chuàng)新允許將固態(tài)硬盤作為數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ)載體，并提供極高的安全性，正常家用無(wú)需擔(dān)心壽命。