全球尤其是亞洲,部分國家也開始推行具備自己特色的芯片法案,這些方案一方面要扶持本土半導(dǎo)體企業(yè),另一方面又在積極引進其他國家的半導(dǎo)體企業(yè),讓本就一片混沌的半導(dǎo)體全球化變得更加復(fù)雜。
它們近期都出臺了什么樣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,大家不妨來關(guān)注一下。
馬來西亞
對于上世紀六七十年代就已經(jīng)參與到半導(dǎo)體行業(yè)之中的馬來西亞來說,它的野心不止于承載附加值較低的初級封裝業(yè)務(wù),除了目前正在火熱的先進封裝外,馬來西亞還想要吸引先進制程和芯片設(shè)計這些產(chǎn)業(yè),為了實現(xiàn)這一愿景,馬來西亞近兩年開始不斷加碼半導(dǎo)體扶持政策。
據(jù)報道,5月28日,馬來西亞總理安瓦爾-易卜拉欣(Anwar Ibrahim)在吉隆坡舉行的 SEMICON SEA 2024 會議上公布了雄心勃勃的 “國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略”(NSS),該計劃將當?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資至少5000億林吉特(約合1070億美元),目的是鞏固其作為國際*的半導(dǎo)體制造和創(chuàng)新中心的地位,同時致力于建立強大的芯片設(shè)計基礎(chǔ)。
據(jù)了解,國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略是一項分三個階段實施的全面計劃,由馬來西亞國際貿(mào)易與工業(yè)部 (MITI)、其下屬機構(gòu)和其他各部委共同制定,分為三個階段。
*階段重點是利用馬來西亞現(xiàn)有的行業(yè)產(chǎn)能和能力“鞏固基礎(chǔ)”。其中包括通過先進的封裝技術(shù)對 OSAT 服務(wù)進行現(xiàn)代化改造、擴大后端芯片制造和功率芯片生產(chǎn)、以及培養(yǎng)本地芯片設(shè)計冠軍。
第二階段被稱為“走向前沿”,將與主要芯片買家一起進行尖端邏輯和內(nèi)存芯片的設(shè)計、制造、測試和集成。
第三階段也是最后一階段,即“前沿創(chuàng)新”,旨在發(fā)展世界一流的馬來西亞半導(dǎo)體設(shè)計、先進封裝和制造設(shè)備公司,同時吸引蘋果、華為和聯(lián)想等尖端科技巨頭在該國發(fā)展先進制造業(yè)。
安瓦爾強調(diào)了馬來西亞在外包半導(dǎo)體組裝和測試(OSAT)方面的專業(yè)化,并闡明了馬來西亞向高端制造、設(shè)計、封裝和設(shè)備價值鏈上游邁進的意圖。其宣稱:“NSS 是一項強大、靈活、包容且具有前瞻性的戰(zhàn)略,旨在促進與東盟、亞洲和全球舞臺上的公司合作。”“撇開地緣政治動態(tài)不談,一個強大的跨國半導(dǎo)體生產(chǎn)對人類仍然至關(guān)重要,尤其是在我們的氣候行動和風險緩解努力已經(jīng)時日無多的情況下。”
值得一提的,這項戰(zhàn)略還包括向第三方開放晶圓廠的電力供應(yīng)網(wǎng),并擴大可再生能源和綠色氫的使用,官方表示,從今年 9 月開始,馬來西亞的國家電力供應(yīng)行業(yè)將允許第三方接入(TPA),讓其他企業(yè)也能夠使用國家能源有限公司的輸電線路供應(yīng)能源。
馬來西亞政府還為這項國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略制定了五大總體目標:
1、確保*階段的投資至少達到 5000 億令吉,主要由國內(nèi)對集成電路設(shè)計、先進封裝和制造設(shè)備的直接投資以及外國對晶圓廠和半導(dǎo)體設(shè)備的直接投資推動。
2、到第二階段,在設(shè)計和先進封裝領(lǐng)域建立至少 10 家馬來西亞公司,每家公司的營收將在 10 億令吉至 47 億令吉之間,此外預(yù)計將再建立 100 家半導(dǎo)體相關(guān)的本地公司,營收接近 10 億令吉。
3、將馬來西亞定位為全球公認的半導(dǎo)體研發(fā)中心,并擁有世界一流的大學(xué)、企業(yè)研究中心和融合馬來西亞和國際*人才的*中心。
4、在未來五到十年內(nèi),培訓(xùn)并提升由 60,000 名馬來西亞工程師組成的高技能半導(dǎo)體勞動力。
5、撥出不少于 250 億令吉的財政支持和有針對性的激勵措施,以確保 NSS 成功投入運營。
總體而言,馬來西亞的國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略由 MITI 監(jiān)督下的國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略工作組 (NSSTF) 牽頭,CREST 擔任該戰(zhàn)略的秘書處。安瓦爾強調(diào),國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略仍將是一個“動態(tài)文件”,隨著行業(yè)和市場條件的變化而動態(tài)發(fā)展,同時保留馬來西亞的核心愿望——成為“以我們的半導(dǎo)體行業(yè)為動力,讓所有人都能享受到技術(shù)的主要全球參與者”。
這項國家戰(zhàn)略的基礎(chǔ)是馬來西亞作為中立、不結(jié)盟領(lǐng)土的定位,可以鞏固分布式和多樣化的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,以減輕地緣政治風險和脆弱性。安瓦爾強調(diào),馬來西亞隨時準備歡迎來自世界各地的合作伙伴和投資,共同推動這一重要行業(yè)的發(fā)展。“今天,我將我國作為最中立、最不結(jié)盟的半導(dǎo)體生產(chǎn)地點,幫助建立更安全、更有彈性的全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,”他宣稱。
馬來西亞是半導(dǎo)體行業(yè)的主要參與者,占全球測試和封裝總量的 13%,其中檳城被亞洲的硅島,去年吸引了創(chuàng)紀錄的 610 億令吉的半導(dǎo)體外商直接投資,超過了前七年的外商直接投資總和。德國英飛凌(Infineon)在去年8月表示,將投資50億歐元(54億美元)擴建其在馬來西亞的功率芯片工廠,而美國芯片制造商英特爾(Intel)則于2021年宣布,將在馬來西亞建設(shè)一座價值70億美元的先進芯片封裝廠。
值得一提的是,近年來不少中國公司也開始落戶馬來西亞,去年9月,國內(nèi)的超聚變(Xfusion)宣布,它將與馬來西亞的NationGate合作生產(chǎn)GPU服務(wù)器--專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計的服務(wù)器,用于人工智能(AI)和高性能計算。
此外,總部位于上海的賽昉科技(StarFive)也正在馬來西亞檳榔嶼州建設(shè)一個設(shè)計中心,而芯片封裝和測試公司通富微電則表示將在2022年擴建其馬來西亞工廠,該工廠是其與美國芯片制造商AMD的合資企業(yè)。
越南
對比馬來西亞,越南的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然起步晚,產(chǎn)值也相對更小,但近兩年其發(fā)展勢頭卻非常迅猛,不僅大力吸引外企落戶越南,還在培養(yǎng)人才方面下了不少功夫。
首先是吸引外企方面。今年2月,越南政府決定加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度,并宣布計劃在 2024 年年中之前推出一系列稅收優(yōu)惠政策和設(shè)立投資基金,以促進該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
報道指出,越南國會在2月批準了一項決議,允許政府為包括半導(dǎo)體公司在內(nèi)的高科技公司設(shè)立投資基金。越南科技部長表示,越南將通過國家科技基金會(NAFOSTED)加大支持力度,并將制定政策支持芯片測量和測試設(shè)備的供應(yīng),幫助縮短生產(chǎn)時間,促進銷售。此外,越南還將加強與 Viettel、VNPT、FPT 和 CMC 等本地企業(yè)的合作,并為該行業(yè)提供資金。不過截至目前,越南尚未透露稅收減免的具體措施。
而在人才培養(yǎng)方面,今年4月,越南計劃與投資部部長在一次全國會議上介紹了一個關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“人力資本項目”,其將在 2030 年前投入 26 萬億越南盾(約合 10.2 億美元),國家預(yù)算將提供 17 萬億越南盾(約合 6.694 億美元),其余部分將來自私營企業(yè)、大學(xué)和其他公私合營企業(yè),以此來為半導(dǎo)體行業(yè)培養(yǎng)一支準備充分的勞動力隊伍,抓住半導(dǎo)體這 "千年一遇 "的機遇。
據(jù)了解,這項“人力資本項目”旨在使越南工程師深入設(shè)計、封裝和測試(后端)流程,并逐步掌握制造階段,具體目標是為半導(dǎo)體行業(yè)培訓(xùn) 50000 名工程師,涵蓋所有流程,其中包括培養(yǎng)15,000名集成電路設(shè)計工程師,35,000名封裝和測試等其他技能領(lǐng)域的工程師,以及約5,000名利用芯片推動人工智能應(yīng)用發(fā)展的專家。
該項目指出了越南在該行業(yè)的一些優(yōu)勢,包括高度的政治意愿;對外國公司有吸引力的投資環(huán)境,目前在越南有 50 多家外國公司;電子工業(yè)領(lǐng)域技術(shù)熟練、價格低廉的勞動力;與大多數(shù)已發(fā)展半導(dǎo)體工業(yè)的國家建立了全面的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
越南總理在會議上表示,半導(dǎo)體行業(yè)的勞動力發(fā)展應(yīng)被視為人員培訓(xùn)方面的一個突破。他相信,由于國家創(chuàng)新中心(NIC)、河內(nèi)和胡志明市的高科技中心以及多個 IT 園區(qū)的運作,國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將蓬勃發(fā)展。此外,在全國約 240 所大學(xué)中,近 160 所正在提供技術(shù)培訓(xùn),并將擴展到半導(dǎo)體領(lǐng)域,35 所教育機構(gòu)開設(shè)了與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)。
此外,該總理還強調(diào)了與多個國家的合作關(guān)系,包括英偉達和三星等*企業(yè)已表達了對于在越南研究、投資和開發(fā)的興趣,最終目標目標是在越南建設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。
越南總理認識到在意識、勞動力、資金、保護政策和競爭力方面存在的一些挑戰(zhàn),敦促各部委、機構(gòu)、教育機構(gòu)和企業(yè)在這一領(lǐng)域進行投資,實現(xiàn)資源多樣化,并促進公私合作伙伴關(guān)系。具體而言,越南總理在會上要求規(guī)劃與投資部審查并完善半導(dǎo)體勞動力發(fā)展計劃,要求信息和通信部提交到 2030 年的國家半導(dǎo)體電路發(fā)展戰(zhàn)略,并展望到 2035 年,此外,教育和培訓(xùn)部還需要制定一項計劃,在五年內(nèi)培訓(xùn) 30000 名大學(xué)生,為半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)服務(wù)。
值得一提的是,此前,為了解決人才短缺問題,越南信息與通信部副部長在1 月底挑選了五所大學(xué)來培養(yǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需的人才,包括越南河內(nèi)國立大學(xué)、越南胡志明市國立大學(xué)、河內(nèi)科技大學(xué)、FPT 大學(xué)和峴港大學(xué)。與此同時,三星電子還與越南河內(nèi)工程技術(shù)大學(xué)簽署了協(xié)議,為學(xué)生提供韓語和半導(dǎo)體行業(yè)培訓(xùn)課程。此外,F(xiàn)PT 集團與國家創(chuàng)新中心和來自美國的行業(yè)專家合作,建立了越南半導(dǎo)體教育中心(VSHE),計劃到 2030 年培訓(xùn) 50,000 名工程師。
越南一直在吸引全球半導(dǎo)體公司越來越多的投資,其中包括英特爾公司,該公司在越南南部建立了一個封裝和測試工廠,此外,投資 16 億美元的 Amkor 北寧工廠于 2023 年 10 月落成,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛在去年年底表示,英偉達未來將擴大與越南*科技公司的合作,并支持該國培養(yǎng)發(fā)展人工智能和數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的人才。
印度
印度雖然一直強調(diào)著自己要推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但反反復(fù)復(fù)的政策變化導(dǎo)致了該產(chǎn)業(yè)始終沒有獲得太多發(fā)展,僅有芯片設(shè)計方面表現(xiàn)不錯,而芯片制造和封裝測試等領(lǐng)域,幾乎等同于一片空白。
早在2014年,印度就批準了兩個投資集團在印度建設(shè)晶圓廠的提案,總投資約為100億美元,政府也承諾將提供充足的資金支持——高達總成本25%的無息貸款、稅收減免和補貼。
但這一提案推進緩慢,2016 年,以JP Associates為首的集團退出了晶圓廠的項目,其表示晶圓廠在印度不具備商業(yè)可行性,另一個HSMC由于沒有提交證明投資承諾的意向書,在2019年被印度政府除名,這項百億美元的投資計劃至此擱淺。
2021年,印度重啟了半導(dǎo)體的投資激勵計劃,公布了一項約100億美元扶持政策,其中印度中央政府向建立半導(dǎo)體代工廠的公司提供50%的項目成本,地方政府會再支付20%至25%,當時申請的企業(yè)有三家,分別是Tower半導(dǎo)體主導(dǎo)的ISMC,鴻海和Vedanta的合資企業(yè),以及新加坡科技公司IGSS。
為了加速半導(dǎo)體設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,印度后續(xù)還制定了設(shè)計關(guān)聯(lián)激勵(DLI)計劃,在50%的投資的基礎(chǔ)上,額外提供4-6%的“關(guān)聯(lián)”激勵,以支持企業(yè)采用印度制造的設(shè)計服務(wù)。印度政府還為該領(lǐng)域的初創(chuàng)企業(yè)提供基礎(chǔ)設(shè)施支持工具,如獲取EDA工具的許可證。此外還制定了“電子元件和半導(dǎo)體制造促進計劃”(SPECS),為符合條件的資本設(shè)備提供25%的補貼。
除了對半導(dǎo)體制造的專項支持外,印度還提供200億美元的生產(chǎn)掛鉤激勵(PLI)計劃,旨在成為“全球電子制造中心”,覆蓋移動電話、先進化學(xué)電池、汽車及零部件、電信和網(wǎng)絡(luò)、太陽能電池組件、家電等領(lǐng)域。PLI計劃于2020年4月啟動,通過補貼印度制造業(yè),以加強和其他東南亞制造基地的競爭。
需要注意的是,上述的三家企業(yè)最終未能獲得100億美元的補貼,印度本土芯片工廠最終由美光摘得頭籌。
美光在2023年6月宣布和印度政府簽訂了合作備忘錄,將在古吉拉特邦興建一座DRAM和NAND產(chǎn)品的封測廠,總投資額約為27.5億美元,其中 美光出資 30%,印度中央政府和邦級政府分別提供 50% 和 20% 財政支持。這家封測工廠聚焦晶圓分割、封裝、測試和模組生產(chǎn),最新的預(yù)計是將于 2025 上半年開始出貨。
在美光之后,印度政府又在今年2月底連續(xù)批準了3家半導(dǎo)體工廠的建設(shè)計劃。
*家工廠是印度塔塔集團旗下的塔塔電子(Tata Electronics)與臺灣力晶積成電子制造(力積電)合作的產(chǎn)物,它們將在印度西部古吉拉特邦的Dholera建設(shè)一座12英寸晶圓廠,總投資 9100 億盧比。
第二家工廠,由古吉拉特邦當?shù)仄髽I(yè)CG Power and Industrial Solutions所主導(dǎo),它宣布與日本瑞薩等公司合作,來建設(shè)一座封測廠,總投資760 億盧比。
第三家工廠,同樣由塔塔集團旗下的塔塔電子所主導(dǎo),落戶在以前制造業(yè)很少的印度東北部的阿薩姆邦,同樣是一座封測廠,總投資2700 億盧比。
今年3月,3家工廠同時在直播中舉辦了開工儀式,塔塔集團的子公司塔塔之子的董事長N.Chandrasekaran表示,半導(dǎo)體是數(shù)字領(lǐng)域的基礎(chǔ),生產(chǎn)基地“將給整個國家?guī)?的影響”。在線上參加開工儀式的印度總理莫迪也對建立3家工廠表示歡迎,他指出:“印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域成為世界大國的日子不遠了”。
而印度似乎并不滿足于此,在2021年的100億美元半導(dǎo)體補貼計劃的資金即將耗盡之際,《印度時報》援引印度政府高級官員的話稱,印度正考慮推出一項新的數(shù)十億美元的半導(dǎo)體公司激勵計劃。
報道稱,推出激勵計劃以來,印度已批準的四個項目總成本達到了 14814 億印度盧比,企業(yè)將獲得超過 7400 億印度盧比的巨額補貼,此外還有來自各邦政府的額外補貼。新一輪刺激計劃很可能在全國大選和新政府成立后公布,前期工作已經(jīng)開始,預(yù)計新一輪刺激計劃的規(guī)模將大大超過上一輪。
據(jù)印度媒體稱,政府現(xiàn)已收到新的提案,目前正處于討論的后期階段。提案包括以色列芯片制造商 Tower Semiconductors計劃在印度投資 9000 億盧比的晶圓廠,其計劃在未來十年內(nèi)擴大工廠規(guī)模,最終實現(xiàn)每月生產(chǎn) 80000 片硅片的目標,如果獲得批準,這將是印度*家由大型半導(dǎo)體公司運營的制造工廠。
需要注意的是,Tower 和塔塔集團的這兩家晶圓廠都將生產(chǎn)所謂的成熟芯片——采用 40 nm或更舊的技術(shù),可能會用于消費電子、汽車、國防系統(tǒng)和飛機等產(chǎn)品之上。
韓國
韓國雖然已經(jīng)是半導(dǎo)體大國,但面對美國、日本和歐洲地區(qū)不斷出臺的半導(dǎo)體政策,它也未感受到了非常大的壓力,開始在近期推出一系列針對半導(dǎo)體的補貼政策。
據(jù)報道,韓國副總理兼經(jīng)濟財政部長崔相默 5 月 23 日在首爾宣布了一項以擴大優(yōu)惠利率貸款為中心的,針對半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的綜合支持計劃,總規(guī)模達到 26 萬億韓元。
據(jù)了解,該計劃的核心是低息貸款,韓國政府計劃通過韓國產(chǎn)業(yè)銀行(KDB)擴大資本,建立17萬億韓元的貸款計劃。政府可能將公共機構(gòu)股票等實物捐助與現(xiàn)金投資相結(jié)合,出資約1.7萬億韓元。此外,目前正在組建的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)基金規(guī)模將擴大到1.1萬億韓元,目前規(guī)模為3000億韓元,超過2.5萬億韓元將投資于基礎(chǔ)設(shè)施支持,包括道路、供水和電力,以打造半導(dǎo)體集群。
韓國政府的這項計劃旨在支持中小企業(yè)和后端工藝領(lǐng)域的投資,這種支持將延伸到材料、零部件、設(shè)備、芯片設(shè)計和封裝工藝的投資,以均衡培育半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長表示,目前韓國系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域銷售額在 1000 億韓元左右的公司只有 5 家左右,而政府計劃的目標是到 2030 年將這些公司增加到 10 家左右。
在幾個月之前,韓國有一項更加龐大的扶持計劃。2024年1月,韓國宣布在南部城市龍仁開發(fā)大型芯片集群,總投資額達4700億美元,其計劃在 2047 年之前的幾年里,由私營部門投資 622 萬億韓元(合 4710 億美元),在現(xiàn)有的 21 座芯片廠基礎(chǔ)上新建 13 座芯片廠和 3 座研究設(shè)施,有望把該地區(qū)打造成為全球*的半導(dǎo)體高科技園區(qū),其預(yù)計到 2030 年,該集群每月可生產(chǎn) 770 萬片晶圓。
與2023 年首次公布該計劃時相比,總投資額已經(jīng)大幅增加。作為這項長達二十年計劃的一部分,三星和海力士將在韓國國內(nèi)建設(shè)*進的芯片工廠。作為到 2047 年投資 500 萬億韓元計劃的一部分,三星正在大力發(fā)展代工業(yè)務(wù),即為其他公司生產(chǎn)芯片,而規(guī)模較小的競爭對手海力士的目標則是同期在龍仁投資 122 萬億韓元建設(shè)存儲器工廠。
韓國此前曾表示,龍仁地區(qū)還將容納規(guī)模較小的芯片設(shè)計和材料公司,最終目標是提高該國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的自給率,同時到 2030 年將其在全球邏輯芯片生產(chǎn)中的市場份額從現(xiàn)在的 3% 提高到 10%。
日本
日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體霸主,自然不會甘心于現(xiàn)在的地位,擁有雄厚半導(dǎo)體設(shè)備和材料實力的它,也緊跟著美國和歐洲,陸續(xù)推出了新的半導(dǎo)體政策。
早在2021年6月,日本經(jīng)濟、貿(mào)易和工業(yè)省(METI)宣布了該國半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)的核心戰(zhàn)略,其中包括以下的四個主要方向。
與美國建立合作伙伴關(guān)系。這將使得到2020年代末能夠設(shè)計和生產(chǎn)下一代芯片(2納米及以下設(shè)計規(guī)則)成為可能,這一目標通過與IBM和歐洲研究機構(gòu)IMEC合作,成立了由日本企業(yè)組成的Rapidus聯(lián)盟來追求。
開發(fā)“顛覆性”的未來半導(dǎo)體技術(shù)。為此,日本正在建立LSTC,一個由政府支持的先進芯片研究的研發(fā)中心。據(jù)報道,LSTC的構(gòu)想源于美日討論,這些討論導(dǎo)致了基本原則的采納。IBM將支持LSTC的建立和工作。
建立新的芯片制造基地以生產(chǎn)傳統(tǒng)設(shè)備。為實現(xiàn)這一目標,政府鼓勵全球*進的半導(dǎo)體制造商——臺積電與索尼和汽車零部件制造商電裝(Denso)合作成立了日本先進半導(dǎo)體制造公司,該公司正在熊本縣建設(shè)晶圓制造工廠。據(jù)報道,第二家臺積電晶圓廠正在考慮中。
對國內(nèi)芯片制造提供補貼。日本政府表示,將對國內(nèi)外制造商生產(chǎn)指定類型的半導(dǎo)體設(shè)備(包括功率設(shè)備、微控制器和模擬設(shè)備)、設(shè)備、材料和原材料的資本支出補貼高達三分之一。補貼的條件是至少在國內(nèi)生產(chǎn)10年,并要求制造商在全球短缺時優(yōu)先發(fā)貨國內(nèi)產(chǎn)品。
2023年6月,日本針對已有的半導(dǎo)體戰(zhàn)略進行了修訂,其中包括一個野心勃勃的銷售目標。其希望到 2030 年將日本半導(dǎo)體銷售額提高到 15 萬億日元(1080 億美元)以上,是 2020 年設(shè)定目標的三倍。
據(jù)日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省稱,修訂后的戰(zhàn)略旨在加強對經(jīng)濟安全措施至關(guān)重要的先進半導(dǎo)體以及生成性人工智能等先進技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn)力度,戰(zhàn)略指出,日本芯片制造商的銷售目標將有助于確保該國的半導(dǎo)體穩(wěn)定供應(yīng)。此外,日本還將考慮對投資半導(dǎo)體、蓄電池、生物制造和數(shù)據(jù)中心的公司提供稅收減免和補貼,以保持與世界其他國家的競爭力。
據(jù)悉,自2021年6月日本制定“半導(dǎo)體與數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”以來,經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已為其芯片產(chǎn)業(yè)籌集了約253億美元資金,涉及臺積電、Rapidus等公司。
2024年2月,臺積電熊本廠正式啟用,標志著臺積電在日本的首座工廠(Fab 23)正式投產(chǎn),總產(chǎn)能將達到每月40-50Kwpm晶圓,以22/28nm工藝為主,少部分為12/16nm,為第二座熊本廠主力工藝鋪平道路。
2024年4月,日本批準向國內(nèi)半導(dǎo)體制造公司Rapidus提供高達39億美元的補貼,以幫助其在2027年前量產(chǎn)2納米芯片。
除了晶圓代工廠,日本也看好內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。此前,經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布將補貼2429億日元(約合15.46億美元)給鎧俠和西部數(shù)據(jù),用于在三重縣和巖手縣建設(shè)兩座先進的NAND閃存芯片生產(chǎn)工廠,以滿足AI和大數(shù)據(jù)中心市場的需求。合資工廠將生產(chǎn)218層的3D NAND芯片。
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面對這些來勢洶洶的補貼計劃,國內(nèi)也早已把半導(dǎo)體扶持提上日程。
2014年,國務(wù)院印發(fā)了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》,在工信部、財政部的指導(dǎo)下,國家大基金設(shè)立,目的就是為了扶持中國自己的芯片產(chǎn)業(yè),用國產(chǎn)化來解決對國外廠商重度依賴的問題。
而就在今年的5月27日,相關(guān)消息顯示,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司成立,注冊資本3440億人民幣,超過此前的預(yù)期,也是迄今為止,國內(nèi)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)補貼規(guī)模*的一次,據(jù)了解國家大基金三期旨在引導(dǎo)社會資本加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的多渠道融資支持,重點投向集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈。
此外,中國臺灣也出臺了對應(yīng)的半導(dǎo)體政策。2023年,中國臺灣提出了「芯片驅(qū)動臺灣產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新方案」(簡稱「晶創(chuàng)臺灣方案」),規(guī)劃2024-2033年投入3000億新臺幣,*期自2024年啟動,為期5年,主要運用臺灣半導(dǎo)體芯片制造與封測*全球的優(yōu)勢,結(jié)合生成式AI等關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展創(chuàng)新應(yīng)用,提早布局臺灣未來科技產(chǎn)業(yè),并推動全產(chǎn)業(yè)加速創(chuàng)新突破。
該方案的補助范疇包括:創(chuàng)新先進芯片開發(fā)采用7nm(含)以下制程、先進異質(zhì)整合封裝技術(shù)之創(chuàng)新芯片(如小芯片整合封裝模塊、硅光子等其他新興應(yīng)用芯片開發(fā))、異質(zhì)整合MEMS(微機電)感測技術(shù)之創(chuàng)新芯片開發(fā),采用0.35μm(含)以下之晶圓級制程等。
不管是中國大陸還是中國臺灣,在半導(dǎo)體領(lǐng)域都傾注了比之以往更多的心力,不論是材料還是設(shè)備,不論是晶圓廠還是封裝廠,都在上述的政策覆蓋的范圍內(nèi)。
當然,還有一件更重要的事:當更多國家性質(zhì)的補貼扶持撞車,如何用有限的資源,來更好地拉動本土半導(dǎo)體生態(tài)的發(fā)展,就是一個新的亟需解決地問題。
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