11 月 22 日消息，據(jù)國內碳化硅單晶襯底材料企業(yè)天岳先進官方微信公眾號動態(tài)，該企業(yè)在本月中旬于德國慕尼黑舉行的 Semicon Europe 2024 展覽會上發(fā)布了業(yè)界首款 300mm N 型(IT之家注：即導電型)碳化硅襯底。

　　天岳先進表示，隨著新能源汽車、光伏儲能等清潔能源、5G 通訊及高壓智能電網(wǎng)等產業(yè)的快速發(fā)展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長。

　　而 300mm 碳化硅襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量;在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本，進一步提升經(jīng)濟效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應用提供可能。

　　天岳先進官網(wǎng)資料顯示，該企業(yè)成立于 2010 年，產品包含用于碳化硅(SiC)外延層生長的 4H 導電型碳化硅單晶襯底和用于氮化鎵(GaN)外延層生長的 4H 半絕緣型碳化硅單晶襯底。目前天岳先進可供應 6 英寸和 8 英寸的導電型襯底以及 4 英寸和 6 英寸的半絕緣型襯底。