據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星電子在平澤市的NAND閃存工廠3月9日發(fā)生了一次短暫停電事故，此次事故中受損的晶圓相當(dāng)于3月份三星整體NAND閃存產(chǎn)量的11%，或全球NAND閃存供應(yīng)量的3.5%。
據(jù)知情人士透露，三星NAND閃存工廠停電了大約半個(gè)小時(shí)，大約有5萬(wàn)到6萬(wàn)個(gè)晶圓被損壞。
知情人士稱(chēng)，三星充足的庫(kù)存能夠抵消因斷電導(dǎo)致的晶圓損失，不會(huì)對(duì)三星NAND閃存芯片業(yè)務(wù)造成重大影響。
但知情人士同時(shí)也指出，該事件可能仍會(huì)影響未來(lái)幾周的整體市場(chǎng)供應(yīng)和價(jià)格。
據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，在2018年第一季度，NAND閃存市場(chǎng)出現(xiàn)了輕微的供大于求，這將拖累NAND合約價(jià)格。終端市場(chǎng)需求增長(zhǎng)因季節(jié)性因素放緩，而主要供應(yīng)商提高了它們的3D NAND閃存產(chǎn)量。
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