西數(shù)發(fā)布iNAND EU511閃存芯片：UFS 3.0、寫入達750MB/s

　　三星S10似乎并未配備LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.0閃存，不過折疊屏Galaxy Fold則內(nèi)建了512GB UFS 3.0閃存。

　　事實上，LPDDR5由于剛剛公布正式規(guī)范，按計劃2020年才會登陸消費級產(chǎn)品。而UFS 3.0閃存則提前不少，但可能因為成本和支持的SoC(僅驍龍855、三星Exynos 9820等)較少的緣故，大規(guī)模的普及還需要醞釀。

　　MWC 2019期間，Western Digital(西部數(shù)據(jù))發(fā)布了iNAND MC EU511閃存芯片，采用96層3D NAND，符合UFS 3.0規(guī)范。

　　性能方面，基于SmartSLC Generation 6，順序?qū)懭胨俣雀哌_750MB/s。

　　容量方面，單芯片64GB起步，最大512GB。

　　此前，iNAND產(chǎn)品歸屬與SanDisk(閃迪)，可以看出被西數(shù)收購后，后者要進一步強化統(tǒng)一化的品牌管理，機械硬盤領(lǐng)域的HGST(昱科)也是一樣道理。

　　當(dāng)然，UFS 3.0設(shè)計的最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達2.9GB/s。