李在镕：三星計劃利用世界上第一個3納米工藝制造芯片

　　據外媒報道，周四，三星電子事實上的領導者李在镕(Lee Jae-yong)開始大談該公司利用世界上第一個3納米工藝技術制造尖端芯片的戰(zhàn)略計劃。

　　李在镕參觀了該公司位于京畿道華城的半導體研發(fā)中心。據三星公司稱，這位三星繼承人稱，該公司計劃采用正在開發(fā)的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡稱GAA)工藝技術來制造尖端芯片，并提供給全球客戶。

　　GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，該技術使芯片制造商能夠進一步提高微芯片的制造工藝。

　　三星在去年4月完成了基于極端紫外線技術的5納米FinFET工藝技術的開發(fā)。目前，它正在研究下一代納米工藝技術。

　　該公司表示，與5納米工藝相比，3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

　　“李在镕訪問半導體研發(fā)中心，再次凸顯了三星要成長為非內存領域頂級芯片制造商的決心。”三星發(fā)言人稱。

　　去年，三星宣布了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的芯片系統(tǒng)制造商。(騰訊科技審校/樂學)