我國存儲重大突破 最強存算一體芯片研制成功：美韓廠商側(cè)目

　　10月12日消息，我國存儲芯片上又有了新的大突破，而且是全球領(lǐng)先。

　　清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

　　在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破，有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》雜志。

　　記憶電阻器(Memristor，憶阻器)，是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后，仍能記憶”通過的電荷，被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

　　存算一體架構(gòu)徹底消除了數(shù)據(jù)在邏輯處理器與存儲芯片之間的搬遷問題，減少能量消耗及延遲，在邊緣計算和云計算中有廣泛的應(yīng)用前景。

　　相同任務(wù)下，該芯片實現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進工藝下專用集成電路（ASIC）系統(tǒng)的1/35，同時有望實現(xiàn)75倍的能效提升。