2025 第九屆集微半導體大會于 7 月 3 日至 5 日在上海張江科學會堂盛大啟幕，大會以 "智鏈未來・芯創(chuàng)無限" 為主題，開啟中國半導體產業(yè)生態(tài)協(xié)同發(fā)展的新篇章。同期舉辦的“集微半導體展”全方位呈現(xiàn)了全球半導體前沿產品創(chuàng)新成果與技術趨勢。作為國內一體化良率提升解決方案領軍企業(yè)，東方晶源微電子科技(北京)股份有限公司(以下簡稱“東方晶源”)帶來旗下新一代電子束量檢測設備產品矩陣的最新信息，展現(xiàn)出面向先進工藝的電子束量測檢測技術的硬核實力。值得關注的是，其全新研發(fā)的高能電子束設備(HV-SEM)已取得重大進展，標志著東方晶源在前道電子束量檢測設備四大核心領域已完成全面布局，持續(xù)夯實在國內該賽道的領跑地位。

　　東方晶源旗下新一代電子束缺陷檢測設備(EBI)SEpA-i635 產品相較于前代機型 SEpA-i525 應用場景更廣，檢測能力和處理速度均獲顯著提升，綜合性能可對標同類型國外先進機臺。在核心的電子光學系統(tǒng)上，SEpA-i635 采用了東方晶源全新開發(fā)的超大電流預充電功能(微安級)和大電流成像技術(百納安級)，最大束流實現(xiàn)量級躍升，使得 SEpA-i635 可檢測到先進存儲晶圓上復雜結構的電性缺陷，檢測能力已成功通過產線驗證。同時，通過對掃描控制系統(tǒng)、電子探測器，以及高速 DPU 系統(tǒng)在圖像數據處理和缺陷識別的全面升級，檢測速度較前代產品提升 3 倍以上。

　　電子束缺陷復檢設備(DR-SEM)方面，東方晶源新一代產品 SEpA-r655 的高分辨電子光學系統(tǒng)采用 5 通道電子成像技術 (4 side detector+1 top detector)，不僅顯著提升缺陷立體成像效果，而且能表征材料襯度，可實現(xiàn)對表面和亞表面晶圓缺陷的高分辨率成像和深層信息檢測。電子光學系統(tǒng)優(yōu)化后，其高景深成像能力得到提升，可滿足高深寬比結構檢測需求;大視場(毫米級)成像能力則滿足晶圓邊緣斜面成像分析需求。此外，SEpA-r655 搭載 DUV 顯微模組，可提升設備無圖案晶圓檢測能力，并具備自動缺陷元素成份分析能力等。全新硬件平臺支持新興化合物半導體檢測，能夠自適應處理不同厚度的晶圓。同時，通過自動對焦硬件模組迭代及軟件算法流程優(yōu)化，檢測速度較前代產品提升 2 倍以上。