Intel發(fā)明全新MESO邏輯器件：能耗降低最多30倍

　　隨著半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜化，如何延續(xù)摩爾定律一直是行業(yè)熱門話題，不少人直言這個定律即將甚至已經(jīng)終結(jié)，而作為半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍巨頭，Intel一直在不斷探索新的材料、技術(shù)和工藝，持續(xù)推進摩爾定律。

　　12月3日，權(quán)威的《自然》雜志發(fā)表了一篇有關(guān)下一代邏輯器件(Logic devices)的研究論文，作者包括Intel、加州大學(xué)伯克利分校、勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。

　　這篇論文描述了一種由Intel發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，相比目前最常用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)，MESO器件結(jié)合了超低休眠狀態(tài)功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍，并考慮到了未來計算所需的關(guān)于存儲器、互連線和邏輯的要求。

　　目前，Intel已經(jīng)做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現(xiàn)新興量子行為的量子材料，以及由材料科學(xué)家Ramamoorthy Ramesh開發(fā)的磁電材料——他目前就任于加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室。

　　MESO還利用了由物理學(xué)家Albert Fert描述的自旋軌道超導(dǎo)效應(yīng)(Spin-orbit transduction effects)——他就任于法國國家科學(xué)研究院/泰雷茲集團聯(lián)合物理研究組。

　　在探求不斷更新半導(dǎo)體工藝、微縮CMOS的同時，Intel一直在研究超越CMOS時代的未來十年即將出現(xiàn)的計算邏輯選項，推動計算能效提升，并跨越不同的計算架構(gòu)促進性能增長。

　　Intel資深院士兼技術(shù)與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監(jiān)Ian Young表示：“我們正在研究超越CMOS時代的計算方案，尋求革命性而不是演進性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎(chǔ)，將量子材料創(chuàng)新與計算結(jié)合在一起。我們對已經(jīng)取得的進展感到非常興奮，并期待著發(fā)揮其潛力，未來做出進一步降低翻轉(zhuǎn)電壓的演示。”

　　Intel功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學(xué)家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開發(fā)。它展現(xiàn)了該技術(shù)的可能性，并有望在業(yè)界、學(xué)術(shù)界和各國家實驗室中引發(fā)新一輪創(chuàng)新。而這種新型計算器件和架構(gòu)所需的許多關(guān)鍵材料和技術(shù)，還需要進行更多開發(fā)。”