3D NAND技術(shù)誕生后，顆粒廠商們就開始在堆疊層數(shù)上做文章，目前最前沿的工藝是96層，不過，更狠的來了。

　　據(jù)悉，東芝和合作伙伴西部數(shù)據(jù)已經(jīng)完成了128層3D NAND Flash芯片的開發(fā)，預(yù)計商用名會是BiCS-5。

　　有趣的是，128層產(chǎn)品為TLC，而非QLC，原因是后者的產(chǎn)能還很低。

　　BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計劃2020年到2021年期間商用。

　　性能方面，BiCS-5芯片采用單Die四矩陣技術(shù)，寫速相較于兩矩陣翻番，達到132MB/s。這個速度怎么理解?就是SLC緩存飽和之后的SSD的真實寫速。

　　TI按照85%的良率對四大顆粒廠(SK海力士、Intel、西數(shù)/東芝、三星)旗下的各技術(shù)產(chǎn)能做了預(yù)測，最頂級的300mm晶圓(12寸)可以切割48.3TB容量的512Gb 128層TLC，如果是QLC，那么產(chǎn)出將更加可觀。

　　無疑，128層TLC成熟商用后將進一步對機械硬盤產(chǎn)生沖擊，同時壓榨大容量SSD的價格水分。