SK海力士：12 層堆疊 HBM3E 開發(fā)三季度完成，下半年整體內存供應可能面臨不足

　　據韓媒 Viva100 報道，SK 海力士在今日舉行的一季度財報電話會議上表示其 12 層堆疊(12Hi)HBM3E 內存開發(fā)有望三季度完成，而下半年整體內存供應可能面臨不足。

　　目前三星電子已發(fā)布其 12Hi HBM3E 產品，該內存單堆棧容量達 36GB，目前已開始向客戶出樣，預計下半年大規(guī)模量產。

　　SK 海力士表示，今年客戶主要聚焦 8Hi HBM3E 內存，SK 海力士將為明年客戶對 12Hi HBM3E 需求的全面增長做好準備。

　　HBM3E 內存在價格方面相較 HBM3 更為昂貴，因為新產品可提供更大的帶寬和容量。

　　電話會議上，SK 海力士稱，其將優(yōu)先確保擁有更高附加值且需求能見度更高的 HBM 內存供應;HBM 內存芯片尺寸又是常規(guī) DRAM 的兩倍。

　　這些因素會相對擠壓常規(guī) DRAM 的晶圓投片量，預計下半年產能將受到限制。

　　SK 海力士預估，如果下半年 PC 和智能手機需求復蘇導致現有庫存耗盡，內存市場將面臨緊張局勢。

　　對于未來的 HBM4 內存，SK 海力士表示混合鍵合技術的應用將被推遲，因為該技術存在較大難度，貿然引入會對產能和質量帶來風險。

　　SK 海力士將在 16Hi HBM 中沿用現有的 MR-MUF(IT之家注：批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill)鍵合技術，待到混合鍵合成熟后再進行使用。