3D堆疊晶體管是未來(lái)：韓國(guó)半導(dǎo)體廠商周星工程研發(fā) ALD 新技術(shù)，降低 EUV 工藝步驟需求

　　韓媒 The Elec 報(bào)道，韓國(guó)半導(dǎo)體公司周星工程(Jusung Engineering)最新研發(fā)出原子層沉積(ALD)技術(shù)，可以在生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片中降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟需求。

　　IT之家注：極紫外光刻(EUV)又稱作超紫外線平版印刷術(shù)，是一種使用極紫外光波長(zhǎng)的光刻技術(shù)，目前用于 7 納米以下的先進(jìn)制程，于 2020 年得到廣泛應(yīng)用。

　　周星工程董事長(zhǎng) Chul Joo Hwang 表示當(dāng)前 DRAM 和邏輯芯片的擴(kuò)展已達(dá)到極限，因此需要像 NAND 一樣，通過(guò)堆疊晶體管的方式克服這個(gè)問(wèn)題。

　　半導(dǎo)體行業(yè)如果想要把晶體管微縮到更小尺寸，一種方案就是堆疊晶體管，其中一個(gè)佐證是深紫外線(DUV)設(shè)備有望用于生產(chǎn) 3D DRAM。

　　Hwang 說(shuō)，隨著堆疊變得越來(lái)越重要，ALD 機(jī)器的需求也將增加。III-V 和 IGZO 半導(dǎo)體的生產(chǎn)也需要 ALD 設(shè)備。