南亞科技加速布局 AI DRAM，定制內(nèi)存項目有望 2026 年取得驗證

　　6 月 3 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，臺灣地區(qū)內(nèi)存企業(yè)南亞科技正在 AI DRAM 加速布局，力爭在三大原廠全力爭奪 HBM 市場的環(huán)境下從定制領(lǐng)域分得一杯羹。

　　南亞科技總經(jīng)理李培瑛表示，AI 應(yīng)用內(nèi)存的四大關(guān)鍵元素分別是高密度先進 DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設(shè)計能力、邏輯 Base Die(IT之家注：基礎(chǔ)裸晶)。

　　南亞科技目前已完成高密度先進 DRAM 技術(shù)部署，正同伙伴補丁科技、福懋科技一道推進 TSV 和封裝，HBM 設(shè)計和邏輯制程 Base Die 則將以戰(zhàn)略性投資與合作形式實現(xiàn)。其定制化 DRAM 項目預(yù)計最快可在 2026 年取得驗證，2026 年底至 2027 年貢獻業(yè)績。

　　對于當(dāng)前市場環(huán)境，由于三大內(nèi)存原廠減產(chǎn)停產(chǎn) DDR3、DDR4，南亞科技正承接轉(zhuǎn)單需求。而在市場提前備貨的趨勢下，南亞科技有望在三季度清理完畢庫存，四季度力拼扭虧為盈。