綜合韓媒 The Elec 和 ZDNet Korea 報道，SK 海力士副總裁(也稱常務(wù))文起一韓國當(dāng)?shù)貢r間昨日在學(xué)術(shù)會議上稱，Chiplet 芯粒 / 小芯片技術(shù)將在 2~3 年后應(yīng)用于 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。

　　并非所有存儲產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進工藝，采用 Chiplet 設(shè)計可將對工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影響功能實現(xiàn)的同時大幅降低成本。

　　SK 海力士正在內(nèi)部開發(fā) Chiplet 技術(shù)，該企業(yè)不僅加入了 UCIe 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，也已于 2023 年在全球范圍內(nèi)申請注冊了用于 Chiplet 技術(shù)的 MOSAIC 商標(biāo)。

　　▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存

　　文起一在本次會議上還表示，用于連接 HBM 內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰(zhàn)，但該工藝仍將是未來方向。

　　混合鍵合對 CMP(注：化學(xué)機械拋光)加工步驟提出了更高精細(xì)度要求;此外封裝加工引起的碎屑污染問題也對 HBM 內(nèi)存的良率造成明顯影響。