三星被判侵犯FinFET工藝專利：罰款4億美元

　　根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利，必須賠償4億美元。

　　韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)在美國的授權(quán)機(jī)構(gòu)起訴三星電子，稱其曾經(jīng)宣稱要與韓國大學(xué)共同研究FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，但很快就放棄，改變主意從Intel那里購買授權(quán)，不過三星還是使用了他們的技術(shù)，卻并非付費(fèi)。

　　法院認(rèn)可了這一起訴，責(zé)令三星電子賠償4億美元。事實(shí)上，陪審團(tuán)發(fā)現(xiàn)三星的侵權(quán)是故意行為，因此完全可以做出三倍處罰，也就是最多12億美元。

　　有趣的是，GlobalFoundries和高通也被發(fā)現(xiàn)同樣侵權(quán)，因?yàn)镚F是從三星那里買了FinFET工藝的授權(quán)，高通則通過三星和GF代工芯片，但這兩家無需賠償。

　　三星對此判決自然表示很失望，將提出上訴。

　　目前，三星電子已經(jīng)超越Intel，成為全球最大的半導(dǎo)體廠商。