東芝:完成128層3D NAND Flash芯片開發(fā)

2019/03/08 17:50 中關(guān)村在線張金梁

　　3月7日消息，東芝和合作伙伴西部數(shù)據(jù)日前宣布，已經(jīng)完成了128層3D NAND Flash芯片的開發(fā)，預(yù)計(jì)商用名會(huì)是BiCS-5。

　　BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計(jì)劃2020年到2021年期間商用。

　　性能方面，BiCS-5芯片采用單Die四矩陣技術(shù)，寫速相較于兩矩陣翻番，達(dá)到132MB/s。這個(gè)速度怎么理解?就是SLC緩存飽和之后的SSD的真實(shí)寫速。

　　有趣的是，128層產(chǎn)品為TLC，而非QLC，原因是后者的產(chǎn)能還很低。

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