ATP自造8Gb DDR3內(nèi)存顆粒：將持續(xù)供應(yīng)

　　隨著整個行業(yè)已經(jīng)全面轉(zhuǎn)向DDR4內(nèi)存，不少廠商都陸續(xù)停產(chǎn)了DDR3，并準(zhǔn)備好了迎接DDR5，但對于很多特殊用戶，尤其是網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域，仍然對DDR3有著強勁且持續(xù)的需求。

　　工業(yè)內(nèi)存存儲廠商ATP Electronics今天宣布了自己研發(fā)的高密度8Gb DDR3顆粒，并承諾會確保DDR3內(nèi)存的持續(xù)供應(yīng)。

　　ATP這種內(nèi)存采用了精心挑選和測試的高質(zhì)量IC，采用2xnm工藝制造，整個模組也經(jīng)歷了廣泛和深度的測試驗證，并且不存在Row Hammer漏洞，不會導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄露。

　　該內(nèi)存提供多種規(guī)格可選，1CS單芯片封裝的支持DIMM、SO-DIMM、Mini-DIMM規(guī)格，容量16GB，頻率1600MHz，2CS雙芯片封裝的有16/32GB 1333/1600MHz DIMM、8GB 1600MHz Mini-DIMM，都可選是否支持ECC。

　　不過由于主要針對行業(yè)用戶，ATP DDR3內(nèi)存不會出現(xiàn)在零售市場上。

　　2018年9月，ATP曾與美光簽署合作協(xié)議，在美光停產(chǎn)DDR2 SO-DIMM、UDIMM、RDIMM內(nèi)存之后，自己繼續(xù)生產(chǎn)DDR2內(nèi)存，更早還獲得了美光SDR、DDR內(nèi)存模組的制造授權(quán)。