據(jù)媒體報道,在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會上,三星公布了最新的半導(dǎo)體芯片工藝路線圖。
三星宣布將在2025年量產(chǎn)2nm芯片,計劃在2027年量產(chǎn)1.4nm芯片,其中三星的2nm工藝布局了多個節(jié)點,第一代2nm工藝是SF2,后續(xù)三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多個節(jié)點。
據(jù)悉,三星第一代2nm工藝SF2將于明年準(zhǔn)備就緒,最先進的2nm工藝節(jié)點SF2Z將于2027年量產(chǎn)商用,它采用先進的后端供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),可以提高電源效率。
值得注意的是,三星2nm工藝進一步完善了多橋-通道場效應(yīng)晶體管(MBCFET)架構(gòu),具有獨特的外延和集成工藝,與基于FinFET的工藝技術(shù)相比,晶體管性能提升了11%-46%,可變性降低26%,同時漏電降低約50%。
值得注意的是,在今年2月,三星宣布與Arm展開合作,提供基于最新的GAA晶體管技術(shù),優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核,盡可能地提高了性能和效率。
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