消息稱三星電子副會長赴美與英偉達洽談 HBM3E 12 層產(chǎn)品供應(yīng)及 HBM4 未來供貨方向

　　據(jù)韓媒 news1 報道，三星電子 DS(半導(dǎo)體)部門主管、公司副會長全永賢近期前往美國，與英偉達就 HBM3E 12 層產(chǎn)品供應(yīng)及代工業(yè)務(wù)進行一系列洽談，爭取可能的訂單。

　　目前，三星的首要任務(wù)之一就是向英偉達供應(yīng) HBM3E 12 層產(chǎn)品，該公司從去年開始就積極爭取英偉達的質(zhì)量認證，不過遭英偉達駁回，目前，三星正以改進設(shè)計的新版本重新申請英偉達認證并嘗試向其供貨。

　　作為比較，近期三星已成功向 AMD MI350X 系列 AI 芯片供應(yīng) HBM3E 12 層產(chǎn)品，這一進展在很大程度上打消了外界對其品質(zhì)的擔憂，也提升了通過英偉達認證的可能性。如果三星順利獲得英偉達訂單，將與目前在 HBM 領(lǐng)域領(lǐng)先的 SK 海力士以及美國美光展開更為激烈的競爭。

　　除此之外，業(yè)界普遍推測，全永賢此行還與英偉達方面討論了第六代 HBM(HBM4)的未來供貨方向。該公司競爭對手 SK 海力士和美光已分別在今年 3 月和 6 月向客戶交付了基于第五代 10 納米級 DRAM(1b 工藝)的 HBM4 樣品，而三星計劃憑借采用更先進第六代（1c 工藝）DRAM 的 HBM4 產(chǎn)品實現(xiàn)技術(shù)反超。